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                IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 为高性能喂运算和通信应用提供极低导通电阻

                2014年04月08日11:25:58 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

                 

                全球功△率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公〖司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用我們又怎么可能知道是誰留下提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

                 

                IRL6283M采用超薄〖的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻∩典型值只有500μΩ,可大幅降低传导 歸元劍损耗,因而非常∑ 适合动态ORing和彩71保险點了點頭丝 (eFuse) 应用。新器件可ζ 使用3.3V、5V或12V的电源轨操作,在20A电流和同样【的30 mm2尺寸的☆封装中,可比同劍飛鷹类最佳PQFN器件降低15%的损耗,使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

                 

                IR亚太区销售副○总裁潘大伟表示:“StrongIRFET系ζ列经过扩充后,能够满足你不該如此簡單市场对动态ORing和电〖子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻,从而实现无可比拟的功率密度。”

                 

                与DirectFET系列的其它器件一样,IRL6283M可提供有效增√强电气性能和热性能的顶侧冷却功能♀,以及吼旨在提高可靠性的无键合线设计。此外,DirectFET封装符合彩71产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期※的设计。同类的高性能封装包含高把握了铅裸片,虽然符合彩71产品有害物ぷ质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免▆将于2016年到期。

                 

                规格

                器件编号

                电压

                最高 VGS

                封装

                电流

                额定值

                导通电阻 (典型/最高)

                认证级别

                (V)

                (V)

                (A)

                10V

                 4.5V

                2.5V

                IRL6283M

                20

                12

                DirectFET MD

                211

                .50/.75

                .65/.87

                1.1/1.5

                工业

                IRFH8201

                25

                20

                PQFN 5x6B

                100*

                .80/.95

                1.20/1.60

                不适用

                IRFH8202

                .90/1.05

                1.40/1.85

                IRFH8303

                30

                .90/1.10

                1.30/1.70

                IRFH8307

                1.1/1.3

                1.7/2.1

                IRF8301M

                DirectFET MT

                192

                1.3/1.5

                1.9/2.4

                 

                IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环也幸虧朱俊州拼死相救保封装,并符合彩71产【品有害物质管制规定 (RoHS) 。

                 

                产品现正接受批如果不是勾魂絲量订单。更多信息和Spice模型请浏览IR的网站http://www.irf.com。

                 

                 

                IR简介

                 

                国际整流器①彩71 (简称 IR,纽约证」交所代号 IRF) 是全球功率半存在导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系ω 统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代▆计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防融合在一起系统的电源管理基准。

                 

                IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn。

                 

                 

                专利◎和商标

                IR®和 DirectFET®是国际整流器彩71的注册ω商标。文中所提及 九九歸一其它产品名称均为对应和靈魂之石持有人所有的商标。

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